概述
開放式橫電波小室TEM Cell EMC電磁兼容輻射騷擾測(cè)試或抗擾度測(cè)試通常在電磁屏蔽室中進(jìn)行，使用天線接收輻射信號(hào)。由于帶寬限制，需要多個(gè)天線才能覆蓋整個(gè)頻率范圍。此外，屏蔽暗室需要很大的空間場(chǎng)地，并且用于標(biāo)準(zhǔn)一致性測(cè)試的設(shè)備成本很高。
中小型企業(yè)的工程師通常必須依靠工作經(jīng)驗(yàn)和實(shí)踐方法來設(shè)計(jì)符合EMC的產(chǎn)品。但是，據(jù)估計(jì)，有超過50％的產(chǎn)品在測(cè)試中未通過。當(dāng)新產(chǎn)品送至認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行合規(guī)性測(cè)試時(shí)，測(cè)試失敗具有非常高的成本，不僅重新測(cè)試成本，同時(shí)項(xiàng)目進(jìn)度和市場(chǎng)推廣也被推遲。
因此需要的是一個(gè)價(jià)格合理的實(shí)驗(yàn)室，可以在合規(guī)性測(cè)試之前工程師自己在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行輻射騷擾預(yù)測(cè)試。TEM單元是用于桌面輻射騷擾測(cè)試的設(shè)備，Tekbox開發(fā)的開放式TEM單元，頻率覆蓋高達(dá)2GHz范圍，即使在更高的頻率（6GHz）下也具有可用性。
開放式橫電波小室TEM Cell TEM單元可與頻譜分析儀結(jié)合使用，可以對(duì)產(chǎn)品EMC相關(guān)的設(shè)計(jì)修改前后對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試。TEM Cell裝置無法得到與經(jīng)過認(rèn)證的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量相同的測(cè)量結(jié)果，但是它能很好的表明產(chǎn)品設(shè)計(jì)是否有輻射騷擾，工程師將清楚地看到輻射情況，它所做的是產(chǎn)品更改是否改善了EMC性能，或者它是否保持不變。使用TEM單元消除了對(duì)產(chǎn)品輻射騷擾的猜測(cè)。
開放式橫電波小室TEM CellTEM單元是用于電子設(shè)備的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)試的帶狀線設(shè)備。由于其尺寸和成本，它不是認(rèn)證測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的替代品，它是在實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行測(cè)量的便捷替代方法。
開放式橫電波小室TEM CellTEM單元由隔板，中間部分的導(dǎo)電條和接地的壁組成。呈現(xiàn)為幾何形狀設(shè)計(jì)的50Ω帶狀線。被測(cè)設(shè)備（DUT）放置在底壁和隔板之間。
TBTC1 / 2/3是開放式TEM單元，它沒有側(cè)壁，便于放置DUT。沒有側(cè)壁可能會(huì)拾取環(huán)境背景噪聲，但是可以通過在DUT上電之前對(duì)單元輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量環(huán)境噪音來將其考慮在內(nèi)。
與同等尺寸標(biāo)準(zhǔn)TEM單元相比，Tekbox開放式TEM單元具有更好的頻率響應(yīng)。TEM單元的高階波模式的限制可用帶寬。Tekbox TEM單元的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了垂直于所需波傳播方向的電阻。因此，高階波和共振被抑制。
所有TEM單元都提供50Ω/25W射頻終端負(fù)載和直流塊，用于保護(hù)頻譜分析儀或接收機(jī)輸入
應(yīng)用：
輻射干擾測(cè)試
抗擾度測(cè)試
TEM和場(chǎng)強(qiáng)
| TBTC0，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場(chǎng)強(qiáng) |
| 10W（40dBm） | 799 V/m |
| 1W（30dBm） | 253 V/m |
| 0.1W（20dBm） | 82 V/m |
| 0.01W（10dBm） | 25 V/m |
TBTC0 ,場(chǎng)強(qiáng)與射頻功率
| TBTC1，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場(chǎng)強(qiáng) |
| 10W（40dBm） | 447 V/m |
| 1W（30dBm） | 141 V/m |
| 0.1W（20dBm） | 44 V/m |
| 0.01W（10dBm） | 14 V/m |
TBTC1 ,場(chǎng)強(qiáng)與射頻功率
| TBTC2，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場(chǎng)強(qiáng) |
| 10W（40dBm） | 224 V/m |
| 1W（30dBm） | 71 V/m |
| 0.1W（20dBm） | 22 V/m |
| 0.01W（10dBm） | 7 V/m |
TBTC2 ,場(chǎng)強(qiáng)與射頻功率
| TBTC3，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場(chǎng)強(qiáng) |
| 10W（40dBm） | 148 V/m |
| 1W（30dBm） | 47 V/m |
| 0.1W（20dBm） | 14 V/m |
| 0.01W（10dBm） | 5 V/m |
TBTC3 ,場(chǎng)強(qiáng)與射頻功率
技術(shù)指標(biāo)
| TBTC0 | |
| 長(zhǎng)度 | 390 mm |
| 寬度 | 100 mm |
| 高度 | 62 mm |
| 隔墊高度 | 28 mm |
| 隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×7×2.8 cm |
| 連接器 | N型-母 |
| 單元阻抗 | 50歐 |
| 阻抗 | 377歐 |
| 射頻輸入功率 | 10W （受提供50端接空限制） |
| 輸入回波損耗 | S11 @ 3.15G ＜ -1.5dB |
| 傳輸損耗 | 3G ＜ 3dB, 6G ＜ 4dB |
| TBTC1 | |
| 長(zhǎng)度 | 390 mm |
| 寬度 | 200 mm |
| 高度 | 108 mm |
| 隔墊高度 | 50 mm |
| 隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×13×5 cm |
| 連接器 | N型-母 |
| 單元阻抗 | 50歐 |
| 阻抗 | 377歐 |
| 射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
| 輸入回波損耗 | S11 @ 1.2G＜-20dB；2.1G＜-17dB； 3G＜-14dB |
| 傳輸損耗 | 1.4G＜1dB, 2.1G＜3dB，3G＜6dB |
| TBTC2 | |
| 長(zhǎng)度 | 636 mm |
| 寬度 | 300 mm |
| 高度 | 205 mm |
| 隔墊高度 | 100 mm |
| 隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 23×28×10 cm |
| 連接器 | N型-母 |
| 單元阻抗 | 50歐 |
| 阻抗 | 377歐 |
| 射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
| 輸入回波損耗 | S11 @ 800MHz＜-15dB；1.5G＜-10dB； 3G＜-8dB |
| 傳輸損耗 | 800MHz＜1dB, 1.15G＜3dB |
| TBTC3 | |
| 長(zhǎng)度 | 1038 mm |
| 寬度 | 501 mm |
| 高度 | 305 mm |
| 隔墊高度 | 150 mm |
| 隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 36×48×15 cm |
| 連接器 | N型-母 |
| 單元阻抗 | 50歐 |
| 阻抗 | 377歐 |
| 射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
| 輸入回波損耗 | S11 @ 700MHz＜-16dB； |
| 傳輸損耗 | 730MHz＜3dB |
| DC-Block 50V-6GHz-N | |
| 連接器 | N-Male / Female |
| 標(biāo)稱阻抗 | 50歐 |
| 連續(xù)射頻功率 | 2W |
| 連續(xù)射頻電壓 | 50V RMS |
| 頻率 | 500KHz – 6GHz |
| VSWR | ≤ 1.2 |
| RF終端 50Ω-3GHz-25W-N | |
| 連接器 | N |
| 標(biāo)稱阻抗 | 50歐 |
| 連續(xù)射頻功率 | 25W |
| 頻率 | DC-3GHz |
| VSWR | ≤1.2 |
| 三階互調(diào) | ≤120dBc |
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| 質(zhì)保 | 1年 |
