介電損耗的形式
電介質在電場作用下,內部通過的電流包括:
〔1〕電容電流:由樣品的幾何電容充電引起電流〔位移電流〕;
〔2〕吸收電流:由松弛極化引起,是介質在交變電壓作用下引起介質損耗的主要來源;
〔3〕漏電電流:由介質電導引起,與自由電荷有關,使介質產生電導損耗。
電介質在電場作用下具體損耗的能量主要包括:
⑴極化損耗:在外電場中各種介質極化的建立引起了電流,此電流與極化松弛等有關,引起的損耗稱為極化損耗。
⑵電導損耗:在電場作用下,導電載流子做定向漂移,形成傳導電流,電流大小由介質本身性質決定,這局部傳導電流以熱的形式消耗掉,稱之為電導損耗。
⑶電離損耗和構造損耗
介電性能的測量方法
依據所測量的根本原理可分為三大類①電橋法②諧振回路法③阻抗矢量法
電橋法:測量范圍:~150MHZ
測量原理:根據電橋平衡時兩對邊阻抗乘積相等,從而來確定被測電容器或介質材料試樣的CX和tanX。
諧振回路法:測量范圍:40KHZ~200MHZ
測量原理:依據諧振回路的諧振特性進展測量的。根據諧振時角頻率ω與回路的電感、電容之間的特定關系式,求得Cx和tanδX。
阻抗矢量法:測量范圍:~200MHZ
測量原理:通過矢量電壓一電流的比值的測量來確定復阻抗的,進而獲得網絡、元件或材料的有關參數。
介電性能測試內容主要包括
⑴絕緣電阻率
⑵相對介電常數
⑶介質損耗角正切
⑷擊穿電場強度
絕緣電阻率測試
絕緣電阻率測試通常采用三電極系統,可以分別測出試樣的體積電阻率ρv和外表電阻率ρs,測量電路圖如以下圖所示。

體積電阻率測試線路圖

外表電阻測量線路圖
平板試樣


管狀試樣


電極材料可用粘貼鋁箔、導電橡皮、真空鍍鋁、膠體石墨等
相對介電常數〔εr〕測試
相對介電常數通常是通過測量試樣與電極組成的電容、試樣厚度和電極尺寸求得。
平板試樣 
管狀試樣
介質損耗角正切〔tanδ)的測定
通過測量試樣的等效參數經計算求得,也可在儀器上直接讀取。
工頻、音頻下一般都采用電橋法測量,高電壓時采用西林電橋法。

西林電橋法
電橋平衡時

CN→標準電容
C4→可調電容
R4→固定電阻
R3→可調電阻
當頻率為幾十千赫到幾百兆赫范圍時,可用集總參數的諧振法進展測量,如下圖

介質損耗因數試驗儀技術參數:
型號:ZJD-C
信號源:DDS數字合成信號
頻率范圍:100KHZ-160MHZ
Q分辨率:4位有效數,分辨率0.1
電感測量范圍:1nH~140mH,;分辨率0.1
信號源頻率精度: 3×10-5 ±1個字,6位有效數
Q值測量范圍: 1~1023自動/手動量程
Q值量程分檔: 30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔
信號源頻率覆蓋比:16000:1
采樣精度:12BIT
Q測量工作誤差:<5%
電感測量誤差:<3%
電容直接測量范圍:1pF~2.5uF
調諧電容誤差分辨率:±1pF或<1%
主電容調節范圍:17~540pF
諧振點搜索:自動掃描
自身殘余電感扣除功能:有
大電容值直接顯示功能:有
介質損耗系數精度:萬分之一
介質損耗測試范圍:0.0001-1
介電常數測試范圍:0-1000
環境溫度:0℃~+40℃
消耗功率:約25W
LCD顯示參數:F,L,C,Q,LT,CT,波段等
Q合格預置范圍: 5~1000聲光提示
電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz
材料測試厚度: 0.1-10mm
夾具插頭間距: 25mm±0.01mm
夾具損耗正切值:≤4×10-4 (1MHz)
測微桿分辨率:0.001mm
準確度:150pF以下±1pF;150pF以上±1%
測試極片:材料測量直徑Φ38mm或50mm(二選一),厚度可調 ≥ 15mm
介質損耗因數試驗儀符合標準:
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質損耗因數的推薦方法;
GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數和介質損耗角正切值的測定方法;
ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率(介電常數)的標準試驗方法;
GBT5594.4-2015電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法;