Bi2Se3硒化鉍拓撲緣體單晶體，供應
產品：磁性拓撲緣體/Bi2Te2Se拓撲緣體納米帶/Bi2Te3碲化鉍拓撲緣體/Bi基拓撲緣體
Bi2Se3硒化鉍拓撲緣體單晶體，供應
產品供應列表：
拓撲緣體Bi0.05Sb1.95Te3納米片
二維拓撲緣體
拓撲緣體薄膜
拓撲緣體微粒
拓撲緣體HgTe納米材料
半Heusler型拓撲緣體LaPtBi
三維拓撲緣體
拓撲緣體(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜
拓撲緣體Sb2Te3薄膜
Cr摻雜拓撲緣體Bi2Se3塊
Cu2Se為基底的納米拓撲緣體材料
CuxBi2Se3拓撲緣體
Cr摻雜BixSbyTe3晶體
Cr摻雜Bi2Se3
Fe摻雜Bi2Se3
Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3撲緣體量子阱薄膜的材料
產品說明：
拓撲緣體是一種具有新奇量子性質的物質狀態，物理學的重要科 拓撲緣體(2張) 學前沿之一。根據能帶理論，傳統上固體材料可以按照其導電性質分為緣體、導體和半金屬，其中緣體材料在其費米能處存在著有限大小的能隙，因而沒有自由載流子；金屬材料在費米能級處存在著有限的電子態密度，進而擁有自由載流子；半導體材料在費米能處沒有能隙，但是費米能級處的電子態密度仍然為零。而拓撲緣體是一類的緣體，從理論上分析，這類材料的體內的能帶結構是的緣體類型，在費米能處存在著能隙，然而在該類材料的表面則總是存在著穿越能隙的狄拉克型的電子態，因而導致其表面總是金屬性的。拓撲緣體這一的電子結構，是由其能帶結構的拓撲性質所決定的。
從理論上說，拓撲緣體是由電荷的U(1)對稱性以及時間反演對稱性共同保護的拓撲態。只要U(1)對稱性和時間反演對稱性同時存在，拓撲緣體的邊緣態是非平庸的，并且，這樣的邊緣態對不能在有同樣對稱性的低維度系統中實現。在理論上人們已經意識到，其他的對稱性同樣可以保護類似的拓撲緣體（或者拓撲導體，取決于對稱性中是否包括電荷的U(1)對稱性）。并且，從2009年以來，人們已經對沒有相互作用的費米子系統的拓撲緣體或者拓撲導體進行了成功分類。2011年以來，拓撲緣體的概念已經被拓展成為一個更為寬泛的概念：symmetry protected topological states. 凝聚態理論物理學界已經對各個維度的玻色子系統中的symmery protected topological states進行了較為分類。但是對于維度的有強相互作用的費米子系統中symmetry protected topological states的分類還沒有后完成。
溫馨提示：用于科研哦！（wyf2020.04.10）
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