近紅外二區(qū)硒化銀Ag2Se QDs量子點(diǎn)

產(chǎn)品描述：

無(wú)機(jī)半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有物理化學(xué)性質(zhì)，包括尺寸依賴的熒光發(fā)射、高的發(fā)光強(qiáng)度、高的光物理/化學(xué)穩(wěn)定性和表面易功能化等，應(yīng)用于發(fā)光二極管（LED）、太陽(yáng)能電池、激光器和生物成像等領(lǐng)域。因此，設(shè)計(jì)合成具有高熒光量子產(chǎn)率（PLQY）、可調(diào)的熒光發(fā)射和生物相容性的量子點(diǎn)是研究熱點(diǎn)。

近紅外窗口（NIR-II，900-1700 nm）熒光由于活體對(duì)其光子的吸收和散射效應(yīng)降低，在生物醫(yī)學(xué)成像和近紅外LED等方面得到研究。。以Ag2Se為例，它具有窄的直接帶隙（0.15 eV），是一種的NIR-II熒光材料。然而，Ag2Se中Ag離子的高遷移率導(dǎo)致大量的陽(yáng)離子空位和晶體缺陷，導(dǎo)致Ag2Se量子點(diǎn)的PLQY小于1%。因此，研究一種新的策略來(lái)獲得高PLQY的Ag基量子點(diǎn)具有重要意義。

近紅外二區(qū)硒化銀Ag2Se QDs量子點(diǎn)

研究人員采用合金化的方法合成了銀金硒（AgAuSe）量子點(diǎn)。該量子點(diǎn)發(fā)射峰位于978 nm，PLQY為65.3%（為目前報(bào)道的不含性重金屬的NIR-II量子點(diǎn)PLQY的記錄），發(fā)射半峰寬為90 nm，壽命為4.58 μs。結(jié)合變溫光譜，表明該量子點(diǎn)PLQY的主要原因在于非輻射躍遷的。進(jìn)一步通過(guò)瞬態(tài)吸收光譜，表征了其激子動(dòng)力學(xué)過(guò)程。該合金化策略對(duì)不同尺寸的Ag2Se量子點(diǎn)具有普適性，可在820-1170 nm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)AgAuSe量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜。這種具有重金屬元素的高PLQY量子點(diǎn)在生物成像、發(fā)光二極

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低溫產(chǎn)品:低溫產(chǎn)品運(yùn)輸過(guò)程中加裝冰袋運(yùn)輸。

常溫產(chǎn)品:常溫產(chǎn)品運(yùn)輸過(guò)程中加冰或者包裝

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