氧化銦錫
中文名稱：氧化銦錫[1]
英文名稱：Indium tin oxide 氧化銦錫
英文別名：stannic; indium（+3） cation; oxygen（-2） anion
CAS號：50926-11-9
分子式：In2O5Sn
分子量：428.343
氧化銦錫（ITO）是一種n 型寬禁帶半導體（ Eg= 3.5eV ），禁帶寬度值對應的波數為2.8×104 cm-1，對應的波長為365nm，處于紫外線的范圍內。
銦錫氧化物在許多方面得到應用，如電學材料、透明電極材料、太陽能電池材料、電致發光材料等，特別是銦錫氧化物納米晶體粉末在屏幕顯示技術方面有著廣泛的應用。由ITO粉末制成的ITO靶材及其ITO導電膜在低壓鈉燈、建筑玻璃、爐門及冷凍食品顯示器等中起著紅外發射作用，在飛機、火車、汽車擋風玻璃等方面用做防凍劑，尤其是可用于視頻裝置、液晶顯示及高清晰熒光屏。液晶生產廠家認為ITO是所需特性均能得到滿足的材料，暫時還無其他材料可以取代。目前，世界發達國家如美國、法國、日本等將一半左右的銦用于制備ITO材料。因此，研究ITO超細粉體的制備具有重要的意義。
氧化銦錫的技術指標：
1、純度≥99.99%；
2、In2O3 質量含量為90.0±0.5%，SnO2 質量含量為10.0±0.5%；
3、粒度5～80nm，BET 比表面積20～50m2/g，近球形。
