旅充降壓IC方案采用了抖頻技術(shù),能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng) 的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上,在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。SP6648HF 內(nèi)置多種保護,包 括逐周期限流保護(OCP),過載保護(OLP),過壓保護(VDD OVP),VDD 過壓箝位,欠壓保護(UVLO), 過溫保護(OTP)等,通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開關(guān)的軟件。
旅充降壓IC方案內(nèi)置有斜坡補償電路,當電路工作于大占空比時,避免次諧波振 蕩的發(fā)生,改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(Leading-edge blanking time),消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二 極管反向恢復(fù)電流對電路的影響。SP6648HF 是一顆電流模式 PWM 控制芯片,內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET,應(yīng)用于功率在 18W 以 內(nèi)的方案。
特點
l 全電壓范圍(90Vac-265Vac)輸入時待機功耗小于 100mW
l 內(nèi)置 650V 高壓功率管
l 4ms 軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力
l 抖頻功能,改善 EMI 性能
l 跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗
l 無噪聲工作
l 固定 65KHz 開關(guān)頻率
l 內(nèi)置同步斜坡補償
l 低啟動電流,低工作電流
l 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
l 過載保護(OLP),逐周期限流保護(OCP)
l VDD 過壓保護(VDD OVP),欠壓保護(UVLO),VDD 電壓箝位
l 過溫保護(OTP)
l SOP8 無鉛封裝