一、什么是LED防爆燈的發光效率？
LED防爆燈的發光效率就是指電光源的光視效能以消耗1W電功率產生多少流明光通量，也就是光通量與功率的比值，單位是流/瓦(1m/W)。一般的要求發光效率越高越好。不斷完善LED防爆燈的發光效率，可以提高光輸出強度，使資源的利用率變得更高。通常LED防爆燈廠家都是通過LED燈的原理來提高等的發光效率，就像下面這幾種一樣：
1、利用電極優化或電子晶體等來改善器件GaNLED電流的擴展特性；
2、提高電流分布的均勻性；
3、減少電流的聚集效應；
4、通過實現提高芯片的出光效率和轉化效率，提高器件爹光電效應，提升產品的性能。
二、提高LED防爆燈發光效率的具體措施介紹：
1、LED防爆燈的燈珠晶粒外形的改變：改變LED防爆燈的矩形外觀形狀是一個有效提升發光效率的方法。可以根據光學原理去改。
2、LED防爆燈表面粗話技術：將組件的內部以及外部的幾何形狀粗比，破壞光線在組件內部的全反射，提升組件的使用效率。粗化方法基本上是在組件的幾何形狀上形成規則的凹凸形狀，而這種規則分布的結構也依所在位置的不同分成了兩種形式，一種是在組件內設置凹凸形狀，另一種方式是在組件上方制作規則的凹凸形狀，并在組件背面設置反射層。目前若使用波長為405nm的紫外組件，可多得43%外部量子效率，取出效率為60%。是目前位置的外部量子效率與取出效率。
3、LED防爆燈芯片黏貼技術：是為了減少GaAs基板對LED所放出光線的吸收，部分研究機構提出透明基板是粘貼技術。這也是LED燈芯片的研究方向之一。
4、LED防爆燈覆晶封裝技術：用FlipChip結構代替藍寶毛基板的GaN系列的材料即將傳統的組件反置，并在p型電極上方制作反射率較高的反射層，藉以將原先從組件上方發出的光線從組件其它的發光角度導出，而由藍寶石基板端緣取光。這樣的方法因為降低了在電極側的光損耗，可有接近于傳統封裝方式兩倍左右的光量輸出。另一方面，因為覆晶結構可直接藉由電極或是凸塊與封裝結構中的散熱結構直接接觸，而大幅提升組件的散熱效果，進一步提升組件的光通量。
5、LED防爆燈透明襯底技術：去除GaAs襯底，代之于全透明的GaP晶體。由于芯片內除去了襯底吸收區，使量子效率從4%提升到了25‐30%。為進一步減小電極區的吸收，有人將這種透明襯底型的InGaAlP器件制作成截角倒錐體的外形，使量子效率有了更大的提高。
6、LED防爆燈金屬膜反射技術：即MB制程，首先去除GaAs襯底，然后在其表面與Si基底表面同時蒸鍍Al質金屬膜，然后在一定的溫度與壓力下熔接在一起。如此，從發光層照射到基板的光線被Al質金屬膜層反射至芯片表面，從而使器件的發光效率提高2.5倍以上。
7、LED防爆燈表面微結構技術：表面微結構制程是提高器件出光效率的又一個有效技術，該技術的基本要點是在芯片表面刻蝕大量尺寸為光波長量級的小結構，每個結構呈截角四面體狀，如此不但擴展了出光面積，而且改變了光在芯片表面處的折射方向，從而使透光效率明顯提高。測量指出，對于窗口層厚度為20μm的器件，出光效率可增長30%。當窗口層厚度減至10μm時，出光效率將有60%的改進。對于585‐625nm波長的LED器件，制作紋理結構后，發光效率可達30lm/w，其值已接近透明襯底器件的水平。
8、LED防爆燈倒裝芯片技術：通過MOCVD技術在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結發光區發出的光透過上面的P型區射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成一層Ni‐Au組成的金屬電極層。P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni‐Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什么情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結構可以從根本上消除金屬薄膜透光性能差，發光效率差的現象。
9、LED防爆燈芯片鍵合技術：隨著對鍵合機理的逐漸認識和鍵合制程技術的逐漸成熟，多種不同材料的芯片之間已經能夠實現互相鍵合，從而可能形成一些特殊用途的材料和器件。如在硅片上形成硅化物層再進行鍵合就可以形成一種新的結構。由于硅化物的電導率很高，因此可以代替雙極型器件中的隱埋層，從而減小RC常數。
10、LED防爆燈激光剝離技術：激光剝離技術(LLO)是利用激光能量分解GaN/藍寶石接口處的GaN緩沖層，從而實現LED外延片從藍寶石襯底分離。技術優點是外延片轉移到高熱導率的熱沉上，能夠改善大尺寸芯片中電流擴展。n面為出光面：發光面積增大，電極擋光小，便于制備微結構，并且減少刻蝕、磨片、劃片。更重要的是藍寶石襯底可以重復運用。
